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会议论文
脉冲应力下栅介质膜的TDDB特性
脉冲应力下栅介质膜的TDDB特性
来源 :第七届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lzb0008
【摘 要】
:
根据陷阱电荷在电应力作用下增加及撤除应力后减少的规律,我们提出了解释直流应力下TDDB寿命差别的模型,并用自行研制的脉冲应力TDDB寿命测试系统,对样品在脉冲电压与直流电压下的TDDB寿命进
【作 者】
:
汪静
王刚宁
【机 构】
:
师范大学电子科学技术系
【出 处】
:
第七届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
脉冲应力
介质膜
寿命
直流电压
栅氧化层
应力作用
陷阱电荷
模型
脉冲频率
脉冲电压
测试系统
测量比较
流应力
样品
实验
解释
规律
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根据陷阱电荷在电应力作用下增加及撤除应力后减少的规律,我们提出了解释直流应力下TDDB寿命差别的模型,并用自行研制的脉冲应力TDDB寿命测试系统,对样品在脉冲电压与直流电压下的TDDB寿命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅氧化层TDDB寿命增加,实验结果与模型预期的结果相符合。
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