脉冲应力下栅介质膜的TDDB特性

来源 :第七届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lzb0008
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
根据陷阱电荷在电应力作用下增加及撤除应力后减少的规律,我们提出了解释直流应力下TDDB寿命差别的模型,并用自行研制的脉冲应力TDDB寿命测试系统,对样品在脉冲电压与直流电压下的TDDB寿命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅氧化层TDDB寿命增加,实验结果与模型预期的结果相符合。
其他文献
针对乍浦港水上安全管理存在的航行自然条件及管理主管体中的不利因素与问题,找出一套以“理顺管理体制,加大监督力度”为主导思想的水上安全管理办法。
笔者曾经模拟了不同方式、不同深度的废膜对棉花的影响。在此基础上,又模拟了不同残留量废膜对棉花的影响,现将主要结果报道如下:材料与方法试验在本所试验农场进行。供试品
该文阐述了栅格翼的空气动力学基本特性,栅格翼在不同马赫数来流时的绕流特点、临界马赫数,研究了几何参数和马赫数对栅格翼气动特性的影响以及几何参数选择法则。
利用演化博弈的方法对技术联盟参与方的策略选择行为进行分析,探讨影响博弈均衡的一些因素.将影响因素分为作用于博弈参与方的内部成本和外部成本两个变量纳入分析框架,并详
该文针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了TiAl栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验和试验样品的扫描电镜静态电压
一、引言 非电量微波检测技术的理论与实践在国内外已有较广泛的研究。不少著名学者如Kalinski.J,Kraszeweki.A等人的论文著作及专利就超过一百多篇,他们在微波测湿应用方面
电应力作用下,栅氧化层受到损伤,表现为栅氧化层内陷阱电荷密度及界面态密度的增加。撤除电应力后,陷阱电荷因被俘获电荷的退陷(detrapping)而减少。界面态密度也会自行减少。该文讨论这种栅
高温存储式验后某种GaAs MESFET的栅-漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机 理,测定了试验前后栅-漏极低压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合-产生中心浓芳的变化,确
该文提出了一种实验方法,用于测量电应力作用下栅介质膜的电荷陷落过程中的几个物理量,如陷阱电荷密度、电荷中心位置、注入介质膜的电子产生陷阱的几率及介质膜内原有陷阱密度