【摘 要】
：
以氧化铈作掺杂添加剂,通过对玻璃熔窑用二氧化锡电极掺杂一定量的氧化铈,分析电极的力学性能和微观结构,结果表明,氧化铈对二氧化锡电极的抗折和增韧效果显著,一定程度上能促进SnO晶相的形成和生长,使氧化锡晶体成三维生长,大大提高了电极的力学性能,同时对电极的导电性也有明显的效果.
【出 处】
：
第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
以氧化铈作掺杂添加剂,通过对玻璃熔窑用二氧化锡电极掺杂一定量的氧化铈,分析电极的力学性能和微观结构,结果表明,氧化铈对二氧化锡电极的抗折和增韧效果显著,一定程度上能促进SnO<,2>晶相的形成和生长,使氧化锡晶体成三维生长,大大提高了电极的力学性能,同时对电极的导电性也有明显的效果.
其他文献
连铸漏钢预报是保证冶金连铸生产安全高效的关键环节，本文利用模糊聚类技术对大量检测数据进行预处理，进而优化神经网络系统的结构和参数，提高了预报系统的精度和快速性.最后给出了预报系统实现的结果。
用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了MgSi与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.掺杂使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提高材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能.以上结论与实验结果一致.
用射频磁控溅射法在SrTiO衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.
在反应液中加入HO,用超声喷雾热分解技术制备了SnO高阻薄膜.结合XRD图谱,方块电阻测试.透光率测试以及Tauc曲线分析的结果,发现反应液中加入HO制备的SnO薄膜,膜质较好,样品在(200)晶面有明显的择优取向;电阻率有明显提高,为12~13Ω·cm;透光率与一般的透明导电膜并没有很大差别.
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的ZnN粉末.用X射线衍射(XRD)测量了ZnN粉末的结构,ZnN粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数为α0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了ZnN粉末的表面形貌,发现ZnN粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(
利用射频反应溅射法在玻璃衬底上在Ar和O气氛中从Cd-In合金靶上制备出了CdInO薄膜.实验结果表明退火处理对CdInO薄膜的光电性质有重要的影响.退火处理进一步降低了CdInO膜的电阻率,在可见光区域内该膜的最高光透射率超过了90﹪.研究还发现CdInO膜电阻在CO气氛中十分敏感的发生变化,并且提高温度和在膜上生长不连续的Pt粒子可进一步增强气敏特性.实验研究还表明CdInO膜气敏传感器响应时
采用热分析、XRD等方法,研究了用化学共沉淀法制备的铟锡氢氧化物复合粉末在煅烧过程中的变化规律.实验结果表明:煅烧过程使非晶氢氧化物粉末最终转变为晶态ITO粉末,其间经历的过程是:非晶氢氧化物粉末→非晶ITO粉末→晶态ITO粉末,晶化温度大约为390℃.同时分析了ITO复合粉末在煅烧过程中保温温度、加热速度、保温时间等工艺参数对晶粒度的影响,结果表明,加热温度越高,保温时间越长,晶粒直径越大;加热
采用超声喷涂热解淀积方法将SnO:F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁.XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明,SnO:F薄膜为多晶结构,平均粒径50nm.分析了薄膜中F取代SnO中O的形成过程和薄膜电导率增强的机理,解释了不同的工艺条件对薄膜的结构、光电特性的影响,确定了制备SnO:F薄膜加热管的最佳工艺条件.该条件下制备的薄膜的电阻率达4×10Ω·cm,可见光透过率高于90﹪,功率密
用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)和线性扩展平面波能带方法(LAPW)计算了BiTe与SnBiTe,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.Te(Ⅱ)-Bi离子键强度和Te(Ⅰ)-Bi差别不大,而Te(Ⅱ)-Bi共价键比Te(Ⅰ)-Bi强.Te(Ⅰ)-Te(Ⅰ)原子层之间的主要相互作用是范得华力而最弱.BiTe掺Sn后Te-Bi离子键增强而共价键减弱,且费米能及处带隙变小.Sn主要影响导
以单晶硅片(100)为衬底,尿素-甲醇有机溶液为沉积液,用电化学沉积的方法在阴极制备出CN薄膜.通过AFM、XPS、Raman光谱和FTIR光谱对得到的CN薄膜的表面形貌和微观结构进行了表征,并在球-盘摩擦试验机上考察了薄膜的干摩擦性能,用SEM和EDS对摩擦表面进行了分析,研究了摩擦机理.结果表明:薄膜表面致密,但粗糙度较大;Raman光谱中出现明显的D峰和G峰,说明薄膜具有无定形的结构特征;薄