【摘 要】
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以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有"心线-壳层"同轴结构的ZnO/SiO 纳米电缆.扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆产量很高,长
【机 构】
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北京科技大学新金属材料国家重点实验室(北京)
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以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有"心线-壳层"同轴结构的ZnO/SiO <,x>纳米电缆.扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆产量很高,长度达到数个微米,并且确认了其"心线-壳层"的独特结构.不同于以往ZnO一维纳米材料的三种快速生长方向<0001>,<0110 <->>及<2110 <->>,其ZnO芯的生长方向为[2021 <->].本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂,通过控制锌粉的蒸发速度以及金硅共熔反应使ZnO/ SiO <,x>纳米电缆在硅基片上得到一维生长.
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