【摘 要】
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文章基于GaAs PHEMT工艺,对PHEMT器件材料结构和大信号模型进行了分析,采用ADS软件建立电路原理图与版图,并进行优化调整,成功设计出了一款Ka波段功率放大器芯片.电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的总栅宽以满足功率增益配置需求,采用容性支节加载型结构设置输入/输出和级间匹配网络.芯片的测试结果表明在34 GHz至36 GHz内饱和输出功
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所, 中国 石家庄050051
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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文章基于GaAs PHEMT工艺,对PHEMT器件材料结构和大信号模型进行了分析,采用ADS软件建立电路原理图与版图,并进行优化调整,成功设计出了一款Ka波段功率放大器芯片.电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的总栅宽以满足功率增益配置需求,采用容性支节加载型结构设置输入/输出和级间匹配网络.芯片的测试结果表明在34 GHz至36 GHz内饱和输出功率大于37 dBm,功率增益大于15 dB,功率附加效率为20％,芯片尺寸为3.07mm×3.71mm.
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