离子注入制备Ge半导体纳米晶及其光学性能研究

来源 :2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tandr001
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石英玻璃在室温下注入能量为56 keV、注量为1×1017cm-2的Ge+离子并退火到900℃。采用X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),吸收光谱和荧光光谱对样品中Ge元素的存在形式及样品的光学性能进行分析表征。结果表明,注入态样品中有Ge纳米晶生成,Ge以Ge、GeO和GeO2形式存在,600℃退火后Ge主要以GeO和GeO2的形式存在。注入态样品在紫外-可见光区有较强吸收,但无明显的吸收峰,600℃退火后,样品在240nm处出现一个紫外吸收峰。退火前样品在紫外光区没有荧光发射,300℃退火后,样品在292和388nm有两个荧光峰;500℃退火后,两个荧光峰强度最大,700℃退火后,两个紫外荧光峰消失.紫外吸收峰和荧光峰都是由GeO心引起的。
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