M24100—1/UM型电子束曝光机

来源 :第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoshang
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电子束曝光是迄今为止分辨率最高的微细加工手段之一,是生产及研制微电子器件及特种微型器件的关键性技术.文章介绍了我所最新研制的M24100-1/UM型电子束曝光机的主要技术指标、原理、结构及实验结果,并扼要介绍了影响电子束图形精度变化的主要原因及具体解决措施.
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本文介绍了光学光刻法制作反射式金属光栅工艺试验过程,通过试验得出了制作反射式金属光栅可行的工艺方案,并制作出了亮条纹为金膜,暗条纹为三氧化二铬以及亮条纹为银膜,暗条纹为三氧化二铬两种型式的反射式金属光栅.
二十一世纪的微电子科学与技术,将使高度集成的IC发展到将整个系统集成在一个系统芯片SOC(System on a chip)上.SOC技术的基础就是材料的集成,将各种不同性能,不同用途的材料与半导体材料结合起来,以此来完成整个系统的性能优化.LiTaO单晶具有良好的电声学性能,包括这种晶体制成的器件具有良好的抗高温性能,不退磁,不溶于水,化学性质稳定,具有良好的压电性能,机电藕合系数高,声学传输损
利用质量分离的低能离子束技术,得到了重掺杂磁性杂质Fe的Si:Fe固溶体薄膜.俄歇电子能谱法(AES),X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)对薄膜特性进行测试.AES深度分析结果表明Fe离子浅注入到Si衬底,注入深度约为42nm.XRD结构测量发现只有Si的衬底衍射峰,没有其它新相.XPS对样品表面分析发现Fe2p峰束缚能对应于零价Fe,没有硅化物形成.这些结果表明重掺杂Fe的S
随着移动通讯系统的迅速发展,声表面波器件(SAW)使用频率不断提高,从最初的几MHz到现在的几GHz,其线宽也进入亚微米、深亚微米阶段,如何制得精细的叉指换能器电极成为声表器件制作的关键.本文重点介绍采用具有比光学曝光设备更高精度的JBX 5000LS电子束光刻系统,利用电子束直写(EDBW)技术制造声表面波器件的技术.
本文在Bresenham算法的基础上,提出了一种圆生成算法及填充策略.该方法通过设置决策函数和迭代增量,判断最接近圆函数曲线的象素点,从而得到和圆函数图形逼近较好的曲线图形.这种算法应用于以DSP芯片为基础的电子束曝光机图形发生器,可以快速且较好地得出圆图形单元的各象素点,输出信号至D/A通过信号转换控制偏转放大器绘制图形.此算法适于硬件完成,简化了数据处理过程并提高了图形绘制速度和图形精度.
在ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了Si、SiO陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得了Si和SiO陡直图形,并将这一刻蚀技术用于AWG的制作.
我们在传统微电子加工基础上结合纳米组装技术构建了基于多壁碳纳米管的纳米电子学器件.在低场下测得导电通道有金属型和半导体型两种.在高场下的电学特性测量表明纳米碳管的最外层管壁对电流的传输起主要作用.
通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO上沉积AlO薄膜,在能量120keV剂量5×10cm下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低.光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在1.53um处700℃退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1.53um波长处透射强度随退火温度的变化跟PL谱中发光强度的变化相反.说明Er离子在514
本文描述SOI材料制备工序中,注氧机对SOI材料在离子注入过程中产生粒子污染,影响其顶层硅的性能,结合SIMS测试和ICP-ABS测试的结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面分析粒子污染的机理,并提出相应的解决措施.
电子束光刻技术是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,尤其在百纳米到纳米加工领域的科研和开发中,电子束光刻技术起到不可替代的作用.本文重点介绍JEOLJBX-5000LS电子束对准标记的检测技术,有助于我们在利用电子束光刻技术研制开发集成电路时,优化对准标记制作工艺,提高电子束光刻套准精度.