大气压大面积等离子射流类辉光放电研究

来源 :第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:myloft1d
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  本文中,在大气压下采用一种大尺度介质阻挡放电装置(5×29 mm2)以氦气为工作气体,得到了一种大面积等离子体射流。利用多种诊断手段对这种大面积等离子体放电射流进行了研究。通过电学诊断以及超高速纳秒ICCD照相技术,发现这种放电射流是具有辉光放电的典型特征。通过光学诊断,分析研究了这种等离子射流中活性粒子的空间分布情况,发现这种放电中所含有的大量活性粒子在空间分布比较均匀。
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引言来自于等离子体与器壁相互作用产生的尘埃颗粒有可能会对托卡马克的安全可持续运行构成威胁.这些尘埃有可能运动到芯部等离子体中,稀释芯部等离子体,造成等离子体温度的降低,甚至可能会引起等离子体放电的终止.同时,由于尘埃的质量很大,在电场中加速会获得很高的能量,入射到器壁有可能打穿器壁,引起冷却系统的破裂,因此,研究尘埃的输运以及它们对器壁的损伤很有必要.针对此问题,我们开发了DTS (Dust Tr
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会议
为在PET瓶内表面沉积高阻隔、抗迁移纳米氧化硅薄膜,我们采用新型表面波源产生等离子体.微波表面波等离子体源中微波源功率通过柱状天线产生等离子体把能量输入到放电腔体内.其中,天线包括一个铜管和铜管的内、外包裹着的石英管.2.45 GHz的微波沿着天线和介质层传输,激发放电产生ne≥1012 cm-3高密度的等离子体,从而实现氧化硅的沉积速率>2 nm/s.
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A systematic study of secondary electron collaborative the RF (ICP) plasma surface modification of PET film and its surface physical and chemical changes were analyzed.It was found that with a seconda
A numerical model of the radiation has been employed by a Monte Carlo method and statistical physics to simulate the process of a capillary plasma source for Electrothermal-Chemical (ETC) Launcher.The
引言经过近几十年的快速发展,半导体集成电路中微电子器件制造工艺的特征尺度已小于几十纳米.在这样的尺度下,依赖深宽比的刻蚀(ARDE),微负载(micro loading),旁刻(notching)等微观不均匀性制约了特征尺度的进一步减小[1].碳氟基气体放电等离子体常用于SiO2介质刻蚀中,其表面反应的物理化学过程复杂,需要通过优化工艺参数以实现高刻蚀速率,高选择比和好的各向异性等特性.
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