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SnO2,一种具有宽带隙(3.62 eV)的n型半导体,由于其优良的化学稳定性,较高的电子迁移率,低成本和环境友好,被认为是一种极具潜力的氧化物半导体材料.但由于它的禁带宽度较宽,限制了其对可见光的吸收.
Au/SnO2纳米球的制备及其光电生物传感
【摘 要】
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SnO2,一种具有宽带隙(3.62 eV)的n型半导体,由于其优良的化学稳定性,较高的电子迁移率,低成本和环境友好,被认为是一种极具潜力的氧化物半导体材料.但由于它的禁带宽度较
【机 构】
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南京邮电大学,信息材料与纳米技术研究院,有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地,江苏 南京 210023
【出 处】
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第十二届全国电分析化学学术会议
【发表日期】
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2014年期
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