MOS器件TDDB击穿机理研究

来源 :中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:caojun510
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深入研究了MOS器件TDDB的击穿机理,并对器件寿命模型进行分析.研究结果表明:随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型的预测值与实际寿命值的偏差也随之越来越大.本文提出了一个器件寿命的修正模型,修正后的模型预测值和实际值取得了很好的一致.
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