本文主要研究了室温和高温(100℃)条件下共晶SnBi焊点的电迁移特性。试样采用Cu／SnBi／Cu的对接接头，电流密度为5×103A／cm2。实验结果表明：室温条件下通电465h后，焊点的阴极界面处出现了一些空洞和裂纹，阳极界面处则堆积了一排颗粒状的Bi小丘，然而基体内部的显微组织变化不是很明显，sn、Bi相颗粒略有长大，但仍保持着其两相的均匀分布。然而高温条件下通电115h后其电迁移行为却异常显著。整体焊点形貌变的凹凸不平，钎料的损耗使得阴极附近局部发生严重塌陷;由于Bi原子不断由阴极向阳极聚集形成了一层很厚的“Bi墙”。为了进一步观察焊点内部显微组织的变化，我们对试样再次进行了抛光。 抛光后发现：均匀的sn、Bi两相分布已经不复存在，Sn原子已经消失殆尽，而大部分Bi原子都聚集在阳极附近，形成很厚的且连续的Bi层。阴极附近形成了许多块状的Cu6Sn5金属间化合物，阳极界面处Bi层和铜基板之间依次形成了很厚的Cu6Sn5层和薄薄一层Cu3Sn层。对实验结果进行分析可以得出如下结论：随着电迁移实验的进行，无论是在室温条件下还是在高温条件下，sn、Bi原子都会发生扩散迁移，而在高温条件下原子扩散迁移的速度更快。高温条件下原子的扩散迁移能力更加活跃，加速了阴极钎料的损耗导致电流密度的局部高度集中，产生大量的焦耳热，从而引发焊点的熔化。熔化状态下Sn原子与Cu基板反应加剧，进而形成了大量的脆性金属间化合物，严重降低了焊点的可靠性。