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基于低压VDMOS理论，结合器件三维结构，分析低压VDMOS的导通电阻三维效应，提出一种VDMOS沟道电阻的三维模型。ISE三维数值仿真和解析计算表明：与常规模型相比，本文模型解析解与三维数值解吻合较好。
低压VDMOS沟道电阻的三维模型
【摘 要】
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基于低压VDMOS理论，结合器件三维结构，分析低压VDMOS的导通电阻三维效应，提出一种VDMOS沟道电阻的三维模型。ISE三维数值仿真和解析计算表明：与常规模型相比，本文模型解析解与三维数值解吻合较好。
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年10期
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