上海市交通噪声污染及其防治对策

来源 :全国环境声学电磁辐射环境学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zfh115101
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交通噪声作为城市的主要噪声源,正越来越影响着城市声环境质量.上海作为一座特大型城市,噪声污染投诉在环保部门收到的所有投诉中占46﹪,在噪声投诉中道路交通、轨道交通、内河航运噪声、机场、铁路等投诉约占30﹪,投诉量约在每年8000件左右.本文总结了近年来上海市各级部门对解决交通噪声所采取的措施,并为下阶段改善道路交通噪声提出了指导思想、管理目标及初步的防治对策.主要对策为:(1)规划领先,合理布局.(2)制定地方性环境噪声污染防治管理条例,细化交通噪声污染控制与管理职责.(3)建立从源头控制、部门合作、分工负责、齐抓共管的长效管理机制,构筑类似环保三年行动计划的工作平台.(4)强化对交通噪声的综合防治和治理等.
其他文献
测量了室温下三元GaInP和四元(AlGa)InP(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元GaInP的喇曼谱表现为双模形式,在DALA带上叠加了FLA模,在有序样品中观察到了类GaP的TO模和类InP的TO模,类GaP的LO模和类InP的LO模的分裂,表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10,有序样品b/a比的降低是由于TO模和LO模分裂的影响所造成的。四元(AlG
介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定GeSi/Si化学 梯度层中应变分布的实验结果,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330~490A/cm,外微分量子效率为55℅~78℅,中心发射波长为(808±3)nm。
研制了计算机程序控制的电晕极化系统,系统由586计算机、加热设备、高压电源、 计算机程序控制硬件设备和软件等组成,实现了电晕极化实验自动化。此实验系统使用方便、灵活、稳定,是极化聚合物材料、光波导和调制器件研究中关键工艺设备,可大大提高工作效率、可靠性、重复性和实验的精度。
介绍了用NH-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气” 。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm/Vs(RT)和1700cm/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×10cm(RT)和2.6×10cm(77K)。
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室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射,其强度与晶体质量有关。
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试至VH的存在。已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VH浓度比在未掺杂中的高。而在 同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响。
Si/SiO薄膜采用射频磁控溅射技术制备,当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO)/p-Si结构在室温下的可见电致发光,其发光谱峰位均位于660nm处,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主 要来自于SiO层中的发光中心上的复合发光。
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