【摘 要】
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近年来,随着科学界和工业界不断增强对宽禁带半导体氮化物材料和器件特性研究的科研投入,基于宽禁带半导体氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件发展迅速,并以其优异的发光特性迅速填补了光电子器件在蓝光领域的空白,2014度的三位诺贝尔获奖者也正是因为在此领域中的突出贡献而获奖.研究并进一步促进基于氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件的实际应用对中国科技发展和经济建设都具有重要意义.氮化物脉冲激光器
【机 构】
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华东师范大学电子工程系,上海,200241,中国 华东师范大学电子工程系,上海,200241,中国
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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近年来,随着科学界和工业界不断增强对宽禁带半导体氮化物材料和器件特性研究的科研投入,基于宽禁带半导体氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件发展迅速,并以其优异的发光特性迅速填补了光电子器件在蓝光领域的空白,2014度的三位诺贝尔获奖者也正是因为在此领域中的突出贡献而获奖.研究并进一步促进基于氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件的实际应用对中国科技发展和经济建设都具有重要意义.氮化物脉冲激光器在下一代3D光存储器,生物显像以及时间分辨荧光谱等诸多领域里都有很多的潜在应用价值.研究了InGaN多量子阱垂直腔面发射激光器的光泵浦增益开关特性，分别利用3周期和10周期的VCSEL，在光泵浦的条件下，成功获得了6皮秒和2.2皮秒的增益开关脉冲，从实验上证实了减少光子的寿命和提高面发射激光器的增益确实有助于获得更短的增益开关光脉冲。
其他文献
The influence of unintentionally doped carbon impurities of i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors is investigated.In this work three samples were prepared with different gro
在空间环境中，航天器中的CMOS集成电路中的CMOS半导体元器件存在阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加的效应。其中，衬底漏电流增加能够引起CMOS半导体器件重要的性能退化，甚至导致CMOS集成电路失效。本文基于标准CMOS工艺，针对CMOS集成电路在辐照环境中衬底电流增加的问题，对紫外探测器读出电路版图进行了抗辐照加固设计，在读出电路中的关键部分增加了保护环并采用了
通过脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition)的方法,我们成功地在c面蓝宝石衬底上实现氟晶云母薄膜的异质外延.众所周知云母是一种层状硅酸盐材料,由于具有许多优异的特性其被广泛的应用在生产生活中[1].云母层内以较强的共价键结合而成,而层间则是依靠较弱的范德华力堆叠在一起,它有着较高的电击穿强度(0.1-1V/nm),大的禁带宽度(10.5eV),较高的介电常数(6.4-9.3)
GaN基电子器件因其高二维电子气密度、高电子迁移率和高击穿电压等显著优点受到国内外关注。经过十几年的发展,GaN基器件研究取得重大发展但任有许多问题亟待解决。如器件在大漏电压或RF条件下下出现电流崩塌效应,高压或高温条件下栅泄露电流增大。减小栅极漏电流的一个有效手段是在金属栅极与半导体之间引入绝缘层或者氧化层形成MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)型HEMT或MIS(Met
石墨烯自发现以来,以其优异的机械及光电特性,在将其与半导体材料结合应用于光电器件领域引起了广泛的研究热潮.氮化镓作为当前研究热门的第三代半导体材料,其直接带隙及宽禁带等特点使得其具备优异的蓝光特性.因此,将石墨烯与氮化镓材料生长的结合已经受到越来越多的关注.利用石墨烯的二维结构层间易剥离特性,在其上生长的氮化镓发光二极管可以采用机械转移的方法转移至其他衬底,比如:金属、玻璃或塑料等,从而实现氮化镓
硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压下,因此在高电场下的电子输运性质对器件的性能至关重要.然而,实际测量GaN基材料中电子的饱和漂移速度比理论计算值低很多,其中一个很重要的原因就是由于热声子效应导致的较低的电子能量弛豫率.因此,如何减弱热声子效应进而提高电子的漂移速度是关键.在这篇报道中，系统地研究
采用物理气相传输法,通过调节SiC生长过程中通入生长腔的N2流量(N2/(N2+Ar)-0～10％),改变晶体生长前沿的N分压,获得了不同掺N浓度的SiC单晶.采用二次离子质谱法对其N掺入量进行测试,得出了掺N浓度与生长气氛中N分压的关系.利用霍尔测试仪及非接触电阻率测试仪对其迁移率、电阻率等电学性质进行了测量.根据不同掺N浓度下,沿生长方向晶体电阻率均匀性,估计生长系统中背景N杂质含量在10 1
氧化锌等宽禁带半导体材料,经过掺杂可实现自旋特性与电荷特性的结合,可在高密度非易失性存储器、磁感应器、半导体集成电路、光隔离器件和半导体激光器集成电路以及量子计算机等领域有巨大的应用潜力.为便于实际应用,材料的居里温度须高于室温.目前已有许多研究报导了过渡族元素掺杂氧化锌具有室温铁磁性,但对于其磁性的来源依然存在争议,更有研究认为磁性来自于掺杂剂形成的磁性单质或第二相.因铜及其氧化物都不具有磁性,
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目前,AlGaN/GaN HEMT作为大功率器件,其功率特性一直是研究的重点.而击穿电压是制约AlGaN/GaN HEMT在高功率高耐压电路应用中的关键参数.RESURF技术首次被Shreepad Karmalkar等人引入GaN HEMT器件,通过对器件的缓冲层进行掺杂,缓冲层和沟道互相耗尽,从而提高了器件的击穿电压.但是GaN掺杂一直是一个难题,这一技术并未得到普遍使用.Yasuhiro Ue