【摘 要】
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晶圆键合技术是异质结构制造,3D集成,封装以及层转移(如SOI)中的关键技术,同时在MEMS当中也有重要地位。传统的晶圆键合方法如热压键合法,通常需要比较高的键合温度。但由于热膨胀系数不匹配和后续工艺的要求,键合温度不宜超过200摄氏度。为了促进MEMS键合工艺的发展和更多的应用,提出了一种使用旋涂水玻璃粘结剂层和点压键合技术的混合晶圆键合方法。研究了水玻璃键合的机理,并讨论了本键合方法中最重要的
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晶圆键合技术是异质结构制造,3D集成,封装以及层转移(如SOI)中的关键技术,同时在MEMS当中也有重要地位。传统的晶圆键合方法如热压键合法,通常需要比较高的键合温度。但由于热膨胀系数不匹配和后续工艺的要求,键合温度不宜超过200摄氏度。为了促进MEMS键合工艺的发展和更多的应用,提出了一种使用旋涂水玻璃粘结剂层和点压键合技术的混合晶圆键合方法。研究了水玻璃键合的机理,并讨论了本键合方法中最重要的两个因素：表面能和空洞形成。通过工艺调试,键合比率大于77％,并具有较大的界面能,刀片插入法无法插入刀片,反映出较大的键合强度。
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本制造高性能的自选择存储单元，对于阻变存储器大规模三维集成有很重要的意义.本文提出了一种具有高性能的HfO2/MIEC结构的自选择阻变存储器，并第一次把它集成累了一个4层的三维垂直结构的阵列里.该器件有很多优秀的性能，比如：极低的漏电(＜0.1pA)，很高的非线性，高耐久性并且有很好的抗读写干扰的性质.
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本文针对双码字、双天线的TD-LTE下行链路串行结构设计了一种新型的空间复用预编码和资源映射模块.传统的空间复用预编码模块无法对串行结构中两个码字进行分时串行处理，导致在预编码之前需要添加缓存模块，增加了系统的存储器开销.本文通过对空间复用预编码系数矩阵进行矩阵变换，剥离出两个码字间的加法操作，从而实现对两个码字进行分时串行处理.同时，本文结合资源映射模块的特点，移植了空间复用预编码模块对两个码字
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本文首次证实了阳离子基阻变存储器中能够造成复位失效的negative-SET现象是由于导电细丝的过生长造成的。而且首次提出了用石墨烯作为离子阻挡层从根本上解决这种negative-SET现象。另外，这种基于石墨烯插层的阻变器件表现出较好的阻变性能。这些发现有助于更加充分的理解阳离子基阻变存储器的内部机理，并且对以后器件的进一步优化提供指导。
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