【摘 要】
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Abstract: Overshoot stress (stimulating the actual IC operating condition) on an ultra-thin HfO2 (EOT～0.8 nm) high-κ layer is investigated, which reveals that overshoot is of great importance to high-
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Abstract: Overshoot stress (stimulating the actual IC operating condition) on an ultra-thin HfO2 (EOT～0.8 nm) high-κ layer is investigated, which reveals that overshoot is of great importance to high-κ layer leakage degradation.The dynamic stress-induced leakage current is correlated with traps generation and recovery,which is dependent on stress input and release.A degradation model based on the oxygen vacancies is proposed to interpret the experimental observation.
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