【摘 要】
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本文采用多次沉积-退火技术制造后栅工艺高k金属栅MOSFET,以达到降低栅泄漏电流以及提高器件性能的目的。我们系统地研究了经过多次沉积-退火工艺后的PMOS的电学特性以及时变击穿特性,其中多次沉积退火工艺条件包括沉积/退火次数,每次沉积/退火的退火时间以及总退火时间。实验结果显示,增加沉积/退火次数(从1次增加至2次)及每次沉积/退火的退火时间(从15s增加至30s)使栅泄漏电流增加约一个数量级,
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本文采用多次沉积-退火技术制造后栅工艺高k金属栅MOSFET,以达到降低栅泄漏电流以及提高器件性能的目的。我们系统地研究了经过多次沉积-退火工艺后的PMOS的电学特性以及时变击穿特性,其中多次沉积退火工艺条件包括沉积/退火次数,每次沉积/退火的退火时间以及总退火时间。实验结果显示,增加沉积/退火次数(从1次增加至2次)及每次沉积/退火的退火时间(从15s增加至30s)使栅泄漏电流增加约一个数量级,并且使得63％失效概率下的失效时间增加若干数量级。然而过多的沉积/退火周期数(如4次)使得等效氧化层厚度增加约1埃,以及使PMOS的失效时间更短。而且,不同的沉积/退火时间以及周期数对应不同的失效机制。
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