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HBr\\Cl<,2>等离子体在深亚微米多晶硅栅刻蚀技术中的研究与应用
【机 构】
：
科学院微电子中心一室
【出 处】
：
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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