【摘 要】
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本文提出一种具有低导通压降的旁路开关电路.借助仿真软件,通过对用于旁路开关的传统肖特基二极管和本文所提新型旁路开关电路的各项参数进行比较可得,本文所提新型旁路开关
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文提出一种具有低导通压降的旁路开关电路.借助仿真软件,通过对用于旁路开关的传统肖特基二极管和本文所提新型旁路开关电路的各项参数进行比较可得,本文所提新型旁路开关电路通过电路模块的控制作用及利用VDMOS器件的特性,减少了器件的导通压降.与传统肖特基二极管相比,在电流为8A的情况下,导通压降从400mV下降到64mV,且具有更小的反向漏电流、更低的功耗和更长的寿命.
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