新型数字式开关电源控制器的设计

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pxz521520
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
利用"脉冲序列"(Pulse Train)稳压技术设计了一种新型数字式开关电源控制器.它只用单级功率开关管即可实现带PFC的开关电源.文中主要分析了脉冲序列稳压技术和零电压开关(ZVS)技术的工作原理.给出了一个由该新型数字式开关电源控制器电路组成的带PFC的开关电源的设计实例.
其他文献
本文提出了一种新的相关继承矢量量化图像编码算法及其VLSI结构,该算法对普通矢量量化后输出的码字地址进行空间相关继承编码,在不引入任何额外的编码失真的情况下,有效地利
采样开关的非线性引起的采样误差是影响AD转换器性能的重要因素之一,本文通过采用自举法技术,在采样过程中使MOS开关的栅-源电压保持恒定,纠正采样时间的偏离,消除采样开关的
近些年关于理论与实践一体化的教学改革全国各地的中、高职院校实施较为普遍,也得到了一定的教育科研成果,有力地促进了中、高职院校的深化教学改革,提高了教学效果.但是作为
主要介绍了作为扩散阻挡层的几种材料:TiN,Ta,TaN,WNx的性质和制备以及作为扩散阻挡层材料各自的优点和及缺点.最后,简单介绍了一种三元化合物扩散阻挡层材料.
2000年12月的欧盟尼斯峰会表明,欧洲一体化将再迈新步.今后5-10年的主要任务是:改革欧盟机构及其运行机制,分期分批接纳新成员国,以及组建一支6万人左右的欧盟快速反应部队.
本文利用CMOS双层金属布线工艺制作基于SOI衬底的平面集成电感.实验结果表明基于集成电感性能明显优于体硅集成电感,其品质因数值和自谐振频率都远远高于体硅电感.实验结果同
会议
超薄栅介质的击穿问题是阻碍MOS器件进一步发展的主要原因之一.本文叙述了超薄栅氧化层击穿的几种主要测试方法和机理.利用磁控反应溅射的方法制备了高K(高介电常数)栅介质Hf
会议
本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础.
自1968年起,对于SiO的蜕变与击穿是由于电应力导致缺陷产生的论点,已经历了长达三十多年的研究,产生了多种模型解释.其中有两种主流模型可用于TDDB(时变相关介质击穿).
本文对SOI MOS器件热载流子效应产生的机理进行了分析,并采用器件模拟的方法,对SOI NMOSFET和SOI PMOSFET的热载流子效应进行了研究分析.