InP基阵列波导光栅研究

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:editorzhou
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InP基无源光波导器件广泛用于大规模光子集成回路,InP基阵列波导光栅作为复用/解复用器件有重要实用意义[1].我们设计并在实验室制备了用于单片集成的13通道,、中心波长1549.32nm、信道间隔200GHZ的InP基阵列波导光栅(AWG).
其他文献
GaN基材料具有宽禁带、抗辐射和耐高温的特点,非常适合于制作高灵敏的紫外探测器,并且在导弹羽烟探测、火焰探测、环境监测、化学/生物试剂探测以及空间通信领域具有潜在的应用价值.为了改进GaN基紫外探测器的性能,非常关键的是如何降低器件的暗电流以及提高器件的热稳定性.
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高Al组分AlGaN(Al组分大于40%)是制备深紫外发光和探测器件不可替代的半导体体系,在白光照明、消毒净化、生化检测、紫外日盲探测等领域有广泛应用[1].由于与AlGaN晶格匹配度良好、具有宽的禁带宽度和高的热导率,AlN被广泛用作AlGaN材料的缓冲层,其晶体质量很大程度上决定了AlGaN和量子阱有源区的表面形貌和位错密度.
会议
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会议
我们采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长AlGaN基p-i-n结构的日盲紫外探测器,其具体结构为p-Al0.4Ga0.6N/i-Al0.4Ga0.6N/n-Al0.6Ga0.4N异质结.我们分别对该探测器在正照射和背照射条件下的性能进行了测试,并将测试结果进行比较,比较结果发现:背照射模式下该日盲紫外探测器的响应度是正照射模式下响应度的三倍;背照射模式对该日盲紫外探测器的侧峰响应有明显的抑制作用,
会议
InAs和GaSb这两种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于具有极其优异的电子输运特性和小能隙能谱结构,可作为研制新型高性能纳米电子器件的材料.InAs材料属于n-型窄带隙半导体材料,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子载流子迁移率较高、电子有效质量较小的半导体材料,因此是研制高性能场效应电子器件的理想材料.
会议
太阳能电池可以有效地将太阳光能转换为电能,并为人类提供新型清洁能源.太阳能电池未来发展所面临的核心问题是提高太阳能电池的转换效率和降低成本.提高照射到太阳能电池表面的太阳辐射能流密度,拓宽太阳光谱利用波段范围是解决这两个问题的主要途径.
会议
本文研究了不同等效Al组分的AlN/GaN超晶格缓冲层结构对Si衬底上GaN外延材料(图la)特性的影响.其中超晶格中的等效Al组分被定义为Al%=dAlN/(dAlN+dGaN)× 100%.我们通过改变AlN或者GaN的厚度,成功获得了不同等效Al组分超晶格的Si衬底上GaN外延材料样品(A1%范围10%~30%).
会议
红外探测技术是红外光电技术的核心,其研究进展决定一个国家红外光电技术的发展水平.众所周知,工作在1~2.6μm的近红外探测器件,在军用、民用及航空航天等领域都具有重要的应用价值和前景.InGaAs探测器是近年来最具发展前景的近红外探测器,而探测范围窄和较高暗电流是制约其发展和应用的主要问题.
会议
InP背孔技术是实现高性能W波段InP MMIC的核心技术,电路的内匹配、散热等问题可以由背孔技术获得完美的解决方案[1].背孔作为芯片顶层器件和金属地的连接部分,主要起电连接作用,同时背孔接地,并起到良好的热传导作用,为器件和电路提供良好的散热通路.
会议