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我们由TF FD AM SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出了各种条件下漏源电流的解析表达式,为今后的高温SOICMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础.
-5V背栅偏压下薄膜全耗尽SOI PMOSFET导电机理的理论分析
【摘 要】
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我们由TF FD AM SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出了各种条件下漏源电流的解析表达式,为今后的
【机 构】
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东南大学微电子中心(南京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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