【摘 要】
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用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。采用安德森模型画出了两种器件在正向偏压下的能带图。从能带图出发,通过对两种结构的对比,阐述了其电致发光机理。对比了两种结构器件在电注入情况下的发光光谱,发现MgO绝缘层的引入可以显
【机 构】
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集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 大连理
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。采用安德森模型画出了两种器件在正向偏压下的能带图。从能带图出发,通过对两种结构的对比,阐述了其电致发光机理。对比了两种结构器件在电注入情况下的发光光谱,发现MgO绝缘层的引入可以显著提高器件的紫外发光效率。
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