基于碳化硅重构表面的模型催化研究

来源 :第十六届全国催化学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huodong004
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  碳化硅(SiC)是一种共价化合物,其基本结构为硅原子与碳原子通过sp3键合形成四面体结构,继而相互交错排列形成的碳-硅双原子层.SiC是一种宽带隙半导体,因其具有临界击穿电场强度高、载流子饱和迁移速度高等特性,作为新型半导体材料而被表面科学家广泛研究.近年来,越来越多的催化科学家开始探索SiC作为新型载体在催化领域的应用前景.
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