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本文介绍了GaAs,InP 和GaN三种不同衬底的高电子迁移率晶体管小信号模型,比较了三种不同衬底器件的物理结构.开路测试,短路测试,去嵌等小信号模型寄生参数提取方法在文中被介绍,且对三种不同衬底的高电子迁移率管寄生参数进行了比较.建模结果和实验测试结构得到了很好的吻合.
GaAs,InP,GaN高电子迁移率晶体管模型比较
【摘 要】
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本文介绍了GaAs,InP 和GaN三种不同衬底的高电子迁移率晶体管小信号模型,比较了三种不同衬底器件的物理结构.开路测试,短路测试,去嵌等小信号模型寄生参数提取方法在文中被介
【机 构】
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华东师范大学,信息科学技术学院
【出 处】
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中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会
【发表日期】
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2014年期
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