冷库智能控制方法研究综述

来源 :2016年第九届全国制冷空调新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cs333333
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  主要从控制算法和控制效果的角度,对当前国内外冷库制冷控制系统进行分析,根据控制系统在工程应用中的目的 将控制系统分为单输入单输出和多输入多输出系统,并对比传统的PID算法和当前热门的智能算法,如:模糊控制、遗传算法和人工神经网络等在冷库制冷系统中的控制效果。
其他文献
Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4(CZTSSe)是一种锌黄锡矿结构(kesterite)的P型化合物半导体材料.多晶结构的CZTSSe单结薄膜太阳电池的理论极限转换效率高达31%~32%.相比于传统高效薄膜太阳电池CIGS和CdTe,CZTSSe的原料储量丰富,环境友好.因此,CZTSSe作为一种具有巨大潜力的低成本、绿色、环保型薄膜太阳电池,将会在未来满足不断增长的清洁能源需求中发挥巨大的作
由于柔性AMOLED 具有轻薄、透明、可弯曲等优点越来越受到关注[1-2].为了满足低成本、高透光性柔性AMOLED 应用的需要,采用磁控溅射的技术在柔性聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底上制备出了以ScxIn1-xO3 为有源层的底栅顶接触的薄膜晶体管(TFT)器件[3].对ScxIn1-xO3-TFT(containing 5 wt.%of Sc2O3)进行退火温度、薄膜厚度、溅射气压等条件的优
氧化锌量子点(ZnO Quantum Dots)是一种三维尺寸极小的宽禁带直接带隙半导体材料,具有无毒无重金属等突出优点,其室温下即可容易实现的紫外发光对显示技术的研究具有重要意义。但采用化学溶液法制备的ZnO QDs 由于在生长过程中存在大量缺陷,导致其紫外发光性质不甚理想。这些缺陷主要为ZnO 的本征点缺陷,极大限制了ZnO QDs 的本征紫外发光效率。为了解决纯ZnO QDs 发光的高效率、
等离子体中氢含量与等离子体性能密切相关,通常用氢氘比(H/(H+D))表示托卡马克等离子体中的氢含量[1]。在EAST装置上,降低氢氘比的主要目的 是提高ICRF少子加热效率、避免聚变燃料的稀释以及提高H模的功率阈值。同时,氢氘比在一定程度上也反映了其他杂质气体从壁材料中的释放量。实验研究发现,影响等离子体中氢含量的主要因素是壁温及壁材料的种类。经过长时间(600 小时)高温(~200 度)烘烤的
针对低气压氩气容性放电,基于等离子体流体理论,在漂移扩散近似下建立了等离子 体的流体模型.采用有限差分方法数值求解了所建立的模型,编制了相应的程序.数值模拟 中,射频频率为 13.56MHz,峰值电压为 100V.通过对数值结果的分析,研究了放电参数诸 如离子密度、电子密度、电子温度、电势、电场、等离子体鞘层厚度、电离率、离子电流、电子电流、等离子体电流、电子压强加热、电子欧姆加热、电子加热和电子
自从2004 年Hosono 小组在Nature 杂志上发表非晶IGZO 薄膜晶体管(TFT)以来,氧化物TFT 以其高迁移率、高均匀性、高透明性和可低温制备的优点[1],作为研究热点一直持续了十多年.2012 年IGZO TFT 的工业化量产成为氧化物TFT 走向未来新型显示的另一重要里程碑.但是,In 资源非常宝贵,其地球含量少且价格昂贵.
本文研究的目的:基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响,会出现阈值电压为负值,不能满足器件驱动的要求,由此生产的氧化物器件会出现电流无法关断或低电压下器件开启的技术问题;因此本文通过相应界面处理方法以改进TFT 器件性能。
我国低品位热能资源(工业余热/废热和可再生能源)非常丰富,高效回收利用量大面广的低品位热能使其变为“绿色资源”是解决我国能源问题的一个重要途径。在此背景下,开发余热/废热等低品位热能利用的先进能源利用技术,是提高我国能源工业总体发展水平的一个重要方向。
会议
非晶氧化物半导体(AOSs)薄膜晶体管(TFTs)凭借其场效应迁移率高、可见光区透明性好、大面积均匀性佳、以及可低温制备等优点而受到广泛关注[1]。在之前报道的文献中,非晶氧化铟锌薄膜晶体管(a-IZO-TFT)因其高迁移率(30 cm2V-1s-1)和高开关比(106)被认为在显示技术领域具有良好的发展前景[2]。但是a-IZO-TFTs 的偏压稳定性欠佳,不能满足实际应用的要求,因此如何研制同
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