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本文主要研究了双频容性耦合C2F6/Ar/O2等离子体中低频功率对等离子体化学以及其对SiCOH低k薄膜的刻蚀特性的影响。研究发现，对于C2F6等离子体，低频功率的增长会促进C2F6的分解，这是由于低频功率的上升增加了离了碰撞的几率。
低频功率对60MHz/20MHz双频CZF6/Ar/O2等离子体化学特性及SiCOH低k薄膜刻蚀的影响
【摘 要】
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本文主要研究了双频容性耦合C2F6/Ar/O2等离子体中低频功率对等离子体化学以及其对SiCOH低k薄膜的刻蚀特性的影响。研究发现，对于C2F6等离子体，低频功率的增长会促进C2F6的
【机 构】
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江苏省薄腹材料重点实验室,苏州大学 物理科学与技术学院,江苏苏州 215006
【出 处】
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第十五届全国等离子体科学技术会议
【发表日期】
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2011年期
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