【摘 要】
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采用交流阻抗谱技术,在473~973K温度范围,对掺纳米ZnO的ZrO(3Y)复合掺杂材料的电导率随ZnO第二相质量分数的变化关系进行了研究.研究发现,掺很少量的纳米ZnO(0.5wt﹪~1.0wt﹪),纳
【机 构】
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贵州工业大学(贵阳)华东师范大学(上海)中国科学技术大学(合肥)
【出 处】
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第十一届中国固态离子学学术会议暨固体电化学能源装置国际研讨会
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采用交流阻抗谱技术,在473~973K温度范围,对掺纳米ZnO的ZrO<,2>(3Y)复合掺杂材料的电导率随ZnO第二相质量分数的变化关系进行了研究.研究发现,掺很少量的纳米ZnO(0.5wt﹪~1.0wt﹪),纳米ZrO<,2>(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加、电导率降低,原因在于缺陷缔合效应的加剧阻碍了氧空位的迁移;随着ZnO掺入量的继续增加(>1.0wt﹪),晶界电阻显著减小、电导率回升,材料中电子迁移数增加是导致这一结果的原因.
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