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基于燃油喷射参数计算柴油机燃过程
【机 构】
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装甲兵工程学院
【出 处】
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第十一届全国大功率柴油机学术年会
【发表日期】
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1999年12期
其他文献
用电化学阳极氧化法在淀积于Ｓｉ（１００）衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光辐射下强度进一步升高并伴随有光谱展宽和峰值能量升高的反常现象。
该文利用两步阳极化反应形成了不同微观结构的双层多孔硅层。并对多孔硅层进行了长时间的低温真空预处理。在这双层多孔硅上利用超高真空化学气相淀积低温外延获得了硅单晶外延层。对该外延层作了ＸＲＤ，ＳＥＭ和扩展电阻等测量，结果表明获得的Ｐ型外延硅单晶性好，和多孔硅的界面良好，硅处延层的电阻率在１３５Ω．ＣＭ左右。
分别采用聚酰亚胺和ＣＶＤＳｉＯ〈，２〉作层间介质，对２＊２μｍ〈’２〉通孔的刻蚀和铝双层布线导通的成品率能达到１００℅，介质对一次铝的覆盖完整率可达９５℅以上，层间绝缘电压大于２５０Ｖ。
目前中照后的区熔单晶一般都在８５０°Ｃ进行热处理以消除辐照损伤并使〈’３０〉Ｓｉ嬗变形成的磷原子达到电激活，但一些３英寸的Ｎ〈１１１〉常规无旋涡原始区熔硅单晶在中照及８５０°Ｃ退火处理后其体内会现旋涡缺陷。该实验的研究表明，采用１１００°Ｃ温度对中照后的碳含量符合国标要求的３英寸Ｎ〈１１１〉区熔硅单晶进行退火处理，晶体体内不会出现旋涡缺陷；同时，在晶体碳含量较低（小于３＊１０〈’１６〉ａｔ／ｃｍ〈
用热丝化学汽相淀积法（ＨＦＣＶＤ）在衬底温度为６００°Ｃ时制备具有纳米晶体结构的碳化硅薄膜。用ＸＰＳ、ＸＲＤ、拉曼撒射和ＨＲＴＥＭ等手段分析证明了薄膜样品的纳米晶体结构特征，光荧光测试表明这种材料在室温下具有较强的可见光发射，其光荧光谱的主峰能量接近２．２ｅＶ。
该文报道了对掺金（Ａｕ），掺铂（Ｐｄ）二极管的正向压降￣反恢时间兼容性的实验研究结果。观测到掺Ｐｄ二极管的Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉兼容性较掺Ａｕ，Ｐｔ管更为良好，而按照Ｂａｌｉｇａ建立的快恢复二极管特性的理论分析，掺Ｐｄ硅二极管的Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉兼容性应最差。这一事实表明，具体的器件结构和工艺对Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉特性有很重要的影响，对此进行了初步分析和讨论。
用激光散射法测量工件表面粗糙度参数的优点是非接触、区域平均和快速测量等。国外一直在开展从测量表面粗糙度的光的散射技术的信息中直接得到表面粗糙度参数的反计算问题的研究。为此，作者利用美国国家标准技术研究院（ＮＩＳＴ）用于测量散射光的角分布、研究表面粗糙度的仪器（ＤＡＬＬＡＳ）通过实验研究和分析提出了用激光散射法直接测量工件表面的算术平均斜率Δａ。算术平均斜率的测量范围为０．０１＜Δａ＜０．２０。
硅是重要的半导体材料，在光电器件的制造中一直占有较大的比重。由于对热阻、串联电阻有特殊要求，其芯片的厚度需要限定在某一厚度范围内。该文通过实验对比研究，找出适合于背面金属化工序之前的超薄硅片化学机械抛光工艺。