SiO2陶瓷与TC4钛合金的钎焊研究

来源 :第十六届全国钎焊及特种连接技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hyz012

【摘要】

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采用AgCu共晶钎料钎焊SiO2陶瓷与TC4钛合金,形成了良好接头.通过扫描电镜(SEM),能谱分析(EDS)以及X射线衍射分析(XRD)明确了接头生成物,确定了接头界面结构为TC4/Ti2Cu+Ti(s.

【作者】

：

张丽霞田晓羽刘多冯吉才吴林志何鹏

【机构】

：

哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室,哈尔滨 150001

【出处】

：

第十六届全国钎焊及特种连接技术交流会

【发表日期】

：

2008年期

【关键词】

：

SiO2 陶瓷 TC4钛合金钎焊温度接头界面结构保温时间衍射分析扫描电镜能谱分析抗剪强度共晶钎料生成物射线结果 XRD SEM EDS

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采用AgCu共晶钎料钎焊SiO2陶瓷与TC4钛合金,形成了良好接头.通过扫描电镜(SEM),能谱分析(EDS)以及X射线衍射分析(XRD)明确了接头生成物,确定了接头界面结构为TC4/Ti2Cu+Ti(s.s)/Ti2Cu/TiCu+Ti3Cu4+Ag(s.s)/Ag(s.s)+Cu(s.s)+TiCu/TiCu+Cu2Ti4O/Al2(SiO4)O+TiSi2/SiO2.研究了钎焊温度和保温时间对界面的影响.结果表明；当钎焊温度为850℃,保温时间为5min时,接头抗剪强度最高,其值为30MPa.

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