Ⅲ-Ⅴ族GaN基化合物半导体己被广泛应用在高速电子器件及光学器件中，如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)。在传统的Ⅲ-Ⅴ族非磁材......

要使集成电路集成度和性能继续沿着摩尔定律高速发展，MOSFET等电子晶体管的尺寸需要继续不断缩小，迫切需要引入高迁移率半导体沟道材......

一、引言rn在近几年通信和计算机网络快速发展过程中,光电子器件与微处理器和高速电子器件一样起着至关重要的作用.光网络功能和性......

他的名字，我们一般人可能都不太熟悉，但是我们日常生活中各种大大小小的“享受”和“方便”，却都与他的发明成果相连，小如手机里微波电......

阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论，同时介绍了硅上外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前......