高低压兼容相关论文
在标准CMOS工艺中集成高压CMOS器件是低成本制作高压集成电路的一种方法,但该方法中存在一个高压器件栅氧厚度选择的问题.厚栅氧高......
以某驱动电路的版图设计为例，针对多电源多地数模混合高压电路的版图设计中存在的高压管与低压管的兼容问题、高压管的抗闩锁设计、......
提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟，此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件......
采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS......
研制了与0．5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件．提出了具体的工艺制作流程—在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子......
随着高压电路的广泛应用，高低压兼容电路的设计变得越来越重要。本文以VFD电路高压输出级部分的设计为例，对高压CMOS电路的设计，从工......
