阻变存储器（RRAM）是一种新型非挥发性存储器,具有读写速度快、存储密度高、功耗低、擦写次数多、成本低与传统CMOS工艺相兼容等优点,......

采用磁控溅射在Si/SiO2衬底上制备了Pt/Dy2O3/Pt阻变器件(RRAM),研究并分析了快速热退火对Pt/Dy2O3/Pt器件阻变特性的影响.通过原......

针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经......

针对当前轻量级的射频识别(RFID)加密方案信息防护手段有限的问题,结合由阻变存储器(RRAM)构成的物理不可克隆函数(PUF),提出了一......

采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p＋-Si上制备了Bi掺杂SrTiO3薄膜,构建了Ag/Sr1-xBixTiO3/p＋-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微......

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针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参......

为提高阻变存储器(RRAM)的可靠性,研究了RRAM中的热串扰问题,提出了一种热通量压缩(TFC)算法,通过在RRAM读写电路之前加入TFC算法,......