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部分耗尽(PD)相关论文
SOI SRAM测试研究
SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中......
期刊
绝缘体上硅(SOI)
部分耗尽(PD)
静态存储器
故障模型
测试码
silicon- on- insulator(SOI)
partially deplet
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