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超浅结(USJ)相关论文
激光脉冲退火对40nm超浅结和pMOS器件性能的优化
使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源......
期刊
激光脉冲
本征特性
pMOS
超浅结(USJ)
器件性能
方块电阻
SIMS
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薄层电阻
结电容
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