赝异质结相关论文
本文作者结合自己的工作,综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展,指出GeSi HBT将成为双极结构的主流技术,硅赝异质结器件也将在低温应......
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管,其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双......