能谷分裂相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

能谷分裂相关论文

基于高阶k·p方法的应变锗能带结构计算

采用高迁移率沟道材料,是提高MOSFETs器件性能、延续摩尔定律的重要手段之一。锗(Ge)和应变Ge材料比传统硅(Si)材料具有更高的载流......

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应变锗高阶k·p方法能带结构能谷分裂有效质量

应变锗应变张量模型及导带能级结构的研究

锗（Ge）的电子和空穴迁移率远高于硅（Si），且其与硅（Si）工艺有良好的兼容性，根据ITRS（国际半导体技术蓝图）的预测，应变Ge将是16纳米及以下工艺节......

学位

应变Ge 应变张量模型导带结构能谷分裂线性形变势能理论

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