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背栅晶体管相关论文
SOI MOSFET背栅总剂量辐射效应电流模型
基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出......
期刊
SOI
MOSFET
总剂量效应
背栅晶体管
电流模型
Silicon-on-Insulator MOSFET
total ionizing dose eff
氧化石墨烯基场效应晶体管特性研究
目前,各种新型移动终端的快速发展对集成电路提出了更高的要求,集成度更高,速度更快,功耗更低成为集成电路设计和制备的重要指标。......
学位
石墨烯氧化物
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背栅晶体管
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