离子敏感场效应晶体管相关论文
本文报道了1种测定克咳敏的新方法,用硅钨酸作为电活性物质,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合,制成药物敏感场效应晶体管......
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近年来,离子敏感场效应晶体管(ISFET)生物传感器因其灵敏度高、速度快、无标记、体积小、成本低等特点而受到了广泛关注,可应用于D......
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该文研究了模拟生物味觉构造的味觉传感器系统和用于味觉物质敏感的生物类脂材料的特性，用生物类脂材料构成的多通道电极阵列式味觉......
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该文报道了一种药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。采用硅钨酸为电活性物质，邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂，修饰在离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的栅极......
用磷钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，并用其分析盐酸麻黄碱。传感器对麻黄碱的能斯特响应范围是１．０×１０〈’－１〉～３．０×１０〈’－５〉ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５８ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为３．０～８．０，检......
该博士论文共分为七章,分别研究了第三代超分子杯芳烃化合物在离子选择性电极、离子敏感场效应晶体管传感器、石英压电晶体传感器......
ISFET(离子敏感场效应晶体管)可用于测量流体的酸性.精确的测量要求ISFET的偏置条件(ID和VDS)保持恒定,同时栅极直接接触被测流体.......
报道了硫醚取代的杯[4]芳烃化合物的合成,以此化合物为敏感材料,研制了聚氯乙烯膜的银离子敏感场效应晶体管(As+-ISFET)传感器.Ag+......
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基于半导体仿真软件TCAD设计了一种离子敏感场效应晶体管的模型,首先介绍了离子敏感场效应晶体管的结构及工作原理,其次分析了敏感......
报道了一种用四苯硼钠作为电活性物质,邻苯二甲酸二辛酯作为增塑剂的通用型局麻药(普鲁卡因、丁卡因、利多卡因)场效应晶体管传感......
用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体，并且其分析盐酸黄莲素．传感器对黄莲素的能斯特响应范围是１．０×１０－３－５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ斜率为５９ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为２．０～１１．５，检测下限为......
药物敏感场效应晶体管(DrugFET)是离子敏感场效应晶体管(ISFET)和药物敏感膜相结合的产物。本文研究了药物敏感膜的组成和配比，探讨......
本文报道了一种测定克咳敏的新方法,用硅钨酸作为电活性物质,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合,制成药物敏感场效应晶体......
以硅钨酸为电活性物质,用壳聚糖代替传统的聚氯乙烯(PVC)作为成膜物质,制成药物敏感膜.将其与离子敏感场效应晶体管(ISFET)相结合,......
本文通过分析背栅电压和源漏电流的I-V特性来研究灵敏度(背栅电压测量法)。首先介绍了离子敏感场效应晶体管工作原理及灵敏度受限......
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将场效应管与药物敏感膜结合,以硅钨酸或四苯硼钠未转型的定域体试剂为电活性物质的药物传感器.该传感器制作简单,线性范围宽于或......
将Keggin型硅钨酸-阿托品缔和物掺杂到溶胶-凝胶中，滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面，制备成传感器。并对传感器的电化学行为，包......
用磷钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，并用其分析盐酸麻黄碱。传感器对麻黄碱的能斯特响应范围是１．０×１０－１～３．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５８ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为３．０～８．０，检测下......
报道了一种以四苯硼钠为活性物质的一次性VB1半导体传感器.其Nernst响应线性范围为1.0×10-1～1.0×10-5 mol/L;斜率为29 mV......
本文对响应氢离子的基础离子敏感场效应晶体管的响应机理进行了讨论。比较了不同的栅极敏感膜的PH响应曼敏度，并用H^+和栅极表面相......
作者用盐酸普鲁卡因和四笨硼钠作用生成白色沉淀作为活性材料,研制了三种不同类型的药物传感器:PVC 膜涂层玻璃电极传感器、PVC 膜......
1 引言克咳敏是临床上广泛使用的镇咳药物.其含量多采用非水滴定方法测定 .本实验报道了一种测定克咳敏含量的新方法.将离子敏感场......
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报道了一种测定阿托品的新方法.将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合,以磷钨酸为电活性物质,不必转型,制成聚氯乙烯膜传感器......
报道了硫醚取代的杯「４」芳烃化合物的合成，以此化合物为敏感材料，研制了聚氯乙烯膜的银离子敏感场效应晶体管传感器。Ａｇ＾＋－ＩＳＦＥＴ传感器对银离子......
近三十年来，由于电化学与半导体技术和理论的相互渗透，提出了一类以化学物质为检测参数的化学敏感半导体器件．这种传感器在生物医学、......
本文报道了一种基于ISFET的亚硝酸根传感器.该传感器以四(十二烷基)碘化铵为电活性物质,测定的线性范围为1.0×10-1～7.0×1......
本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件.该器件的线性响应范围为1.0×10-1-1.0×10-3mol/L,斜率为32ml/pc(13℃),......
用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管(ISFET)制成氯酸根离子敏感器件.该器件的斜率为54mv/decade,线性响应范围为1.0×10-1～7.0&#......
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本文综述了各种ｐＨ化学传感器的工作原理、特点及仪器设计，并对近年来ｐＨ化学传感器的新技术及发展趋势作了介绍......
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以硅钨酸为活性物质，邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成的5%聚氯乙烯四氢呋喃溶液，涂在离子敏感场效应晶体管(ISFET)的栅极上，形成对药物......
报道了一种测定尼古丁的新方法.用二苦胺作电活性物质,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合,制成尼古丁传感器,测定尼古丁的......
本文报道一种基于四苯硼钠的离子敏感场效应晶体管(ISFET)。并对器件性能的影响因素进行详尽讨论，确立了以邻苯二甲酸二丁酯(DBP)为......
近几十年以来,随着微电子技术的发展,包括微电子材料、设备等进步,金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Fiel......
本文提出了一种新型pH仪的设计方法.这种仪器的敏感器件是氢离子敏感场效应晶体管.全部电路采用集成电路构成.单片A/D转换器和液晶......
自从离子敏感场效应晶体管(Ion-Sensitive Field-Effect Transistor,ISFET)被Piet Bergveld于20世纪70年代发明以来,它受到了国内......
