磷化铟基相关论文
InP基高电子迁移率晶体管(HEMT),以其优良的特性成为微波／毫米波高频段低噪声有源器件的主要选择之一,本文根据异质结构参数设计优......
本文针对磷化铟基(InP)自对准异质结双极型晶体管(HBT)工艺过程中,基极与发射极之间发生微短路造成HBT失效的各种现象进行分析,建......
信息网络的升级需要作为其核心承载的光网络技术的不断进步，而光子集成芯片技术(photonic integrated circuit，PIC)正是光网络技术演......
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2.5......
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.......
设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率.在使用InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As复合沟道时......
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm......
