该文用斜坡电压法研究了栅氧化层的击穿特性，通过对Ｉ－Ｖ特性曲线与ＦＮ理论曲线的对比以及对击穿电荷的研究，认为在用斜坡电压法研究栅氧化层......

随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠......

作为半导体工业发展最早的关键工艺技术之一,湿法处理工艺在过去的半个多世纪里取得了长远的发展和深刻的革新。常规的湿法处理工......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......