无运放相关论文
基于180 nm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源.该带隙基准通过共源共栅电流镜技......
为满足集成电路中低功耗／低温度系数的要求，基于负反馈钳位原理，采用分段线性补偿技术，通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基......
为满足集成电路中高电源抑制比/低温度系数的要求,设计了一款没有运放的精简的带隙电压电路。相比传统有运放结构,电路芯片面积更......
为产生一个低温度系数的基准电源,设计一种无运算放大器的带隙基准电路。通过对晶体管基射级电压进行高阶温度补偿的方式,产生具有......
如今集成电路工艺更多采用的是CMOS工艺,因为具有功耗低便于集成等特点。但BJT工艺仍然有不可替代的优点,它具有电驱动能力强上电......
设计了一种输出可调的带隙基准电压源。该电路结构简单,无运放结构,避免了运放失调电压对基准电压源精度的影响。调整电阻即可调整......
基于带隙基准源的工作原理以及如何提高温度特性的思想,设计了一种无运算放大器且具有新型高阶温度补偿的带隙基准电路。通过对传......
