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从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计......
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<正> 前言电力半导体器件分硅整流管、硅晶闸管、硅功率品体管三大类。其中硅晶闸管又分为逆阻、逆导、快速、双向、可关断、光控......
