控制晶体生长相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

控制晶体生长相关论文

4英寸碳化硅晶体生长温场控制研究

　　温度场对于碳化硅(SiC)晶体的生长至关重要[1-2]，其中轴向温度场主要控制晶体生长的速度，径向温度场则主要控制晶体的多型和应力......

会议

碳化硅晶体生长温度场控制晶体生长高质量应力分布实验分析生长过程保温设计

KDP晶体过饱和度实时控制生长和改善晶体的均匀性

如何提高KDP晶体的质量是该论文的主要工作内容.该论文拟定建立用过饱和度直接控制晶体生长的方法.根据电磁感应的原理,设计并制造......

学位

KDP晶体饱和度控制晶体生长变压器型电导仪多磷酸盐

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