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总剂量辐射电离相关论文
辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响
基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了60Co (315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LV......
期刊
总剂量辐射电离
阈值电压
60Co
X射线
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