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弱p型GaN相关论文
以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器
提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件......
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弱p型GaN
紫外探测器
势垒高度
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器件性能
有源层
器件
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