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本文应用非傍轴矢量矩理论,分析了670 nm AlGaInP/GaInP分别限制应变单量子阱(SCH SSQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于......

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术成功生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱材料,用该材料制成的单管半导体激光器......

应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子......

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ奕变单量子阱激光器并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＴＮＧａＡｓ生长温度和......

本文应用非傍轴矢量矩理论，分析了670nm AlGaInP/GaInP分别限制应变单量子阱（SCH S－SQW）激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面......