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带隙半导体材料相关论文
溶胶凝胶-旋涂法制备Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶薄膜及其性能研究
宽带隙半导体ZnO为直接带隙半导体材料,带隙宽度为3-3eV,在室温下激子结合能高达60meV,受激发射阈值低,在蓝紫光发光二极管、紫外激光......
学位
纳米晶薄膜
发光强度
工艺条件
溶胶凝胶法
旋涂法
带隙半导体材料
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