随着器件特征尺寸减小至纳米级别,工艺参数波动对静态随机存取存储器（Static Random Access Memory,SRAM）良率的影响越来越大,为保证......

随着器件工艺尺寸进入到纳米级别,制造工艺参数波动对电路性能的影响越来越严重,成为限制芯片良率的重要因素之一,使得在设计阶段......

随着集成电路技术节点的演进及设计复杂度的增加,工艺制造波动导致电路良率无法准确预估,为保证整块芯片系统达到较高的良率,芯片......

随着集成电路产业的发展,SRAM已成为电子产品中不可或缺的部分,对于SRAM的研究始终是热点之一。在先进工艺的低电压场景下,由于工......

随着CMOS 技术进入纳米工艺, 随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一. 文中分析并验证了纳米MOS 器件随机栅长......

针对集成电路工艺参数波动影响芯片良率的问题,提出一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法.该算法通过蒙特卡罗仿真模拟流片后......