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局部背势垒层相关论文
AlGaN/GaN HEMT耐压新结构及开关特性研究
作为第三代半导体材料中的佼佼者-氮化镓具有非常优越的材料特性,成为了国内外研究的热点,被广泛适用于电力电子领域。随着对氮化镓......
学位
氮化镓功率器件
局部背势垒层
极化电荷
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频率特性
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