碳化硅(SiC)功率VDMOSFET(Vertical-Diffused MOSFET)具有高耐压、高频、低功耗和低导通电阻等优势,展现出替代传统硅(Si)功率MOSF......

与传统的硅（Si）材料器件相比,基于第三代宽禁带材料碳化硅（SiC）的电力半导体器件有着优越的性能,受到越来越多研究人员的关注。SiC MOS......

伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路......